2024年4月25日下午，曼彻斯特大学电气与电子工程学院教授Mohamed Missous（Senior Member, IEEE），在清水河校区电子科学与工程学院105会议室做了主题为“半导体太赫兹技术：从太赫兹光子学（光电导开关）到太赫兹电子（RTD 和 ASPAT）系统”的专题报告。本次成电学术讲坛由发展规划与学科建设处主办，电子科学与工程学院承办，电子科学与工程学院太赫兹团队胡旻教授主持。
教授Mohamed在讲座中详细介绍了两种创新方法用于太赫兹辐射的产生与检测。首先，基于飞秒脉冲激光的光电导天线技术通过精确控制LT-GaAs中的掺Be浓度，极大提升了太赫兹辐射功率，已成功应用于Teraview、advantest等公司的太赫兹发射源。其次，利用共振隧穿二极管的方法实现了单层、集成、高效的太赫兹发射，无需昂贵复杂的飞秒激光设备，为太赫兹技术的发展提供了重要的技术基础。
Mohamed Missous，IEEE高级会员，现任英国曼彻斯特大学电气与电子工程学院教授、英国皇家工程院、英国物理研究所和IET院士。他的研究领域主要集中在运用分子束外延（MBE）技术生长复杂多层半导体薄膜。Missous教授创建了一个大型MBE及化合物半导体实验室，涵盖材料生长、评估设备、化合物半导体加工设施和器件测试。长期致力于制定满足严格掺杂和厚度控制要求的实用方法和技术，他在各种先进量子器件领域取得了显著成果，包括室温工作中红外量子阱红外光电探测器、利用超灵敏二维电子气（2DEG）实现无损检测的纳特斯拉磁场成像，以及应用于太赫兹材料进行1.55μ成像。他还关注包括隧穿结构在内的量子器件制造可行性。在相关研究领域，Missous教授已在国际公开文献中发表240余篇论文。他因在隧穿器件制造方面的贡献，与M. Kelly教授共同荣获2015年英国皇家学会Brian Mercer奖。
